أعلنت شركة "إس كيه هاينكس" الكورية الجنوبية، إحدى الشركات الرائدة في صناعة أشباه الموصلات، عن بدء الإنتاج الضخم لجيل جديد من رقاقات ذاكرة الوصول العشوائي (DRAM) عالية الأداء، المصممة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي.
تتميز الرقاقة الجديدة، التي تحمل اسم HBM3E، بأداء وكفاءة أعلى بكثير من الإصدارات السابقة، وتوفر سعة تخزين أكبر وكثافة أعلى، ما يجعلها مثالية لتشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي المعقدة التي تتطلب قدرة معالجة هائلة.
يأتي الطراز الأول من الرقاقة الجديدة بتصميم أنحف بنسبة 40% مقارنة بالإصدار السابق، مما يجعلها أكثر ملاءمة للاستخدام في الأجهزة المحمولة والأجهزة الأخرى ذات الحجم الصغير.
تابعوا آخر أخبارنا المحلية وآخر المستجدات السياسية والإقتصادية عبر Google news